Технические характеристики
Ударная нагрузка в рабочем режиме |
1500 G |
Характеристики
Скорость считывания |
540 MB/s |
Скорость записи |
520 MB/s |
Поддержка S.M.A.R.T. |
Y |
Wi-Fi |
N |
Поддержка TRIM |
Y |
4 ТБ, SATA 6 Гбит/с, 6,35 см (2.5 ") , технология 3D V-памяти NAND и AES 256, 100.00 х 69.85 х 6.80 мм
<b>Что такое 3D V-памяти NAND и чем она отличается от существующей технологии?</b>\nSamsung-это уникальная и инновационная 3D V-памяти NAND флэш-памяти архитектура является прорывом в преодолении ограничений плотности, производительности и выносливости сегодняшней традиционной архитектуры плоская NAND. В 3D V-памяти NAND изготовленных по укладке 32 клеточных слоев вертикально одна над другой, а не уменьшать размеры ячеек и пытаются подогнать себя на фиксированное горизонтальное пространство, что приводит к повышению плотности и более высокой производительности, используя меньше места.\n\n<b>Мировой 1 2 SSD по ТБ для большой нагрузки</b>\nПредставляем первый в мире 2 Тб твердотельный накопитель для клиентских ПК—SSD-накопитель 850 EVO с 2 Тб. Питание на 3D V-памяти NAND, вы можете хранить свои программы и данные на одном диске, что особенно полезно для редактирования и архивирования большого количества полных мультимедийных файлов высокой четкости. Конечным результатом является быстрое время доступа к данным, программы на время загрузки, и одновременно увеличивая общую скорость вычислений для повышения производительности. Наслаждайтесь лучшей производительностью ПК с одной просторной ССД.*\n\n*По сравнению с среде с использованием комбинации жесткого диска в качестве накопителя и SSD в качестве загрузочного диска.\n\n<b>Оптимизировать ежедневные вычисления с технологией TurboWrite для непревзойденной скорости чтения/записи</b>\nДостичь конечной характеристики чтения/записи, чтобы максимизировать ваши повседневной работы на компьютере с технологией Samsung TurboWrite же. Вы не только получите более 10% лучший пользовательский опыт, чем 840 Эво* но до 1.9 х быстрее случайная скорость записи для моделей 120/250 Гб**, а также. В 850EVO подает сверху ее классе производительность при последовательных операциях чтения (540 МБ/с) и записи (520МБ/с) скоростях. Плюс, Вы также приобретаете оптимизированный случайных производительность во всех КТ для клиента сценарий использования ПК. \n*PCmark7 (250 ГБ ): 6,700 (840 Эво) > 7,600 (850 Эво)\n**Случайная запись (QD32, 120 Гб): 36,000 значение iops (840 EVO) от > 88,000 значение iops (850 EVO)от\n\n<b>Гарантированная выносливость и надежность укрепил на 3D V-памяти NAND</b>\n850 EVO обеспечивает гарантированную надежность и долговечность за счет удвоения ОКВО* по сравнению с предыдущим поколением 840 EVO** опираясь на отрасли 5-летняя гарантия. На 850 Эво за счет минимизации снижения производительности обеспечивает устойчивое повышение производительности до 30% за 840 Эво оказался одним из самых надежных устройств хранения данных***.\n*ОКВО: суммарное число записываемых байтов\n**ОКВО: 43 (840 ЭВО) > 75 (850 ЭВО 120/250 ГБ),15 0(850 ЭВО 500/1 ТБ)\n***Стабильная работа (250 ГБ): 3,300 значение iops (840 EVO) от > 6,500 значение iops (850 EVO с), Производительность измерялась после 12 часов “случайная запись” тест\n\n<b>Попасть в скоростную трассу с улучшенными быстром режиме</b>\nSamsung фокусника программное обеспечение, которое обеспечивает быстрый режим в 2 раза быстрее обработка данных скорости* на системном уровне с использованием неиспользованный ПК памяти (DRAM) в качестве кэш-памяти. Новейший Волшебник увеличено максимальное использование памяти в быстром режиме от 1 ГБ, в предыдущей 840 Эво версии, до 4 Гб с 850 Эво при реализации 16 ГБ DRAM. Вы также получаете производительность 2х* увеличение всех случайных глубины очереди.\n*PCMARK7 сырые (250 ГБ): 7,500 > 15,000 (быстрый режим)\n\n<b>Больше вычислений с улучшенной энергоэффективности опираясь на 3D V-памяти NAND</b>\n850 EVO обеспечивает значительно более длительный срок службы батареи на вашем ноутбуке с контроллером оптимизирован для 3D V-памяти NAND теперь включение устройства сна на высокоэффективной 2мвт. В 850 EVO-это сейчас 25% более энергоэффективны в 840 ево во время написать операции* благодаря 3D V-памяти NAND лишь потребляя вдвое меньше энергии, чем Планар 2Д-памяти NAND.\n*Мощность (250 ГБ): 3.2 Вт (840 Эво) > 2.4 Ватт (850 Эво)\n\n<b>Защитит ценные данные с помощью передовых шифрование AES 256</b>\nВ 850 ево идет обогащенная новейшие аппаратные полного шифрования диска. С шифрование AES 256-битной технологии безопасности обеспечивает защиту данных без снижения производительности и в соответствии с Опаловым ВРЧ 2.0. Он также совместим с Microsoft e-привода IEEE1667 так что ваши данные защищены на все времена для вашего спокойствия.\n\n<b>Защиты от перегрева с очень отзывчивым Динамическая Тепловая защита</b>\nДинамический 850 Эво Тепловая защита постоянно контролирует и поддерживает идеальную температуру для накопителя, чтобы работать в оптимальных условиях для целостности ваших данных. Когда температура повышается выше оптимального порога, Тепловая защита автоматически регулирует температуру и обеспечивает защиту данных при сохранении оперативности, чтобы обеспечить ваш компьютер всегда будет в безопасности от перегрева.\n\n<b>Уровня до 850 ево просто без каких-либо хлопот</b>\nВ три простых шагов на Samsung универсальная установка программного обеспечения навигатора вы сможете легко перенести все данные и приложения от существующих основное хранилище до 850 Эво. Программы для Samsung Маг также позволяет оптимизировать и управлять системой лучше всего подходит для вашего SSD.\n\n<b>Приобретать комплексное решение, состоящее из высококачественных компонентов</b>\nSamsung является единственным брендом SSD на разработке и производстве всех ее составляющих в доме, позволяющее полностью оптимизирована интеграция. Результат – повышение производительности, снижение энергопотребления до 1 ГБ lpddr2 памяти DRAM кэш и повышению энергетической эффективности с контроллером мех/mgx по.