Память
| Время задержки CAS |
2.5 |
| Форм-фактор памяти |
200-pin SO-DIMM |
| Error-correcting code (ECC) |
N |
| Напряжение памяти |
2.5 V |
| Тип внутренней памяти |
DRAM |
| Оперативная память |
0.25 GB |
Transcend 256MB Proprietary Memory/EPSON AcuLaser C9100. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-DIMM