UDM 4GB Kit, ECC, DDR2, Fully-Buffered 4ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 4GB Kit, ECC, DDR2, Fully-Buffered. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 2GB, DDR2, PC2-5300, 667MHz 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 2GB, DDR2, PC2-5300, 667MHz. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 1GB, DDR2-RAM, PC2-6400, 800MHz 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR2-RAM, PC2-6400, 800MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
UDM 2GB, DDR2-RAM, PC2-6400, 800MHz 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти UDM 2GB, DDR2-RAM, PC2-6400, 800MHz. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
UDM 1GB, DDR, 266MHz, PC2100, CL2, SO-DIMM 1ГБ DRAM 266МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR, 266MHz, PC2100, CL2, SO-DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 256MB for PowerBook 0.25ГБ DRAM модуль памяти UDM 256MB for PowerBook. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM. Тактовая частота процессора: 867 МГ
UDM 256MB, uSO-DIMM for Asus 0.25ГБ DRAM модуль памяти UDM 256MB, uSO-DIMM for Asus. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
UDM 512MB, (2x256MB), Desktop PC3200 0.5ГБ DRAM модуль памяти UDM 512MB, (2x256MB), Desktop PC3200. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
UDM 512MB, DDR2, ECC, PC2-5300, 667mhz 0.5ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB, DDR2, ECC, PC2-5300, 667mhz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 1GB, DDR2, ECC, PC2-5300, 667mhz 1ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 1GB, DDR2, ECC, PC2-5300, 667mhz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 1GB, DDR, 266MHz, PC2100, CL2, SO-DIMM 1ГБ DRAM 266МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR, 266MHz, PC2100, CL2, SO-DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 512MB, DDR, ECC for Compaq x4000 0.5ГБ DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB, DDR, ECC for Compaq x4000. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
UDM 4GB Kit, DDR, 667MHz, PC5300, FB-DIMM 4ГБ DRAM 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 4GB Kit, DDR, 667MHz, PC5300, FB-DIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 2GB Kit, DDR, 667MHz, PC5300, FB-DIMM 2ГБ DRAM 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 2GB Kit, DDR, 667MHz, PC5300, FB-DIMM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 512MB DDR SO 266 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти UDM 512MB DDR SO 266 . Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 256MB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 256MB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 2GB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 2GB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 256MB DDR SO 266 0.25ГБ DDR 266МГц модуль памяти UDM 256MB DDR SO 266 . Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 512MB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 1GB, DDR2, PC2-5300, 667MHz, CL5 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR2, PC2-5300, 667MHz, CL5. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 512MB, DDR, 333MHz, PC2700, SO-DIMM 0.5ГБ DRAM 333МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR, 333MHz, PC2700, SO-DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 1GB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 512MB, DDR2, PC2-5300, 667MHz, CL5 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR2, PC2-5300, 667MHz, CL5. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 1GB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC 1ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 1GB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 1GB DDR 400 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти UDM 1GB DDR 400. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 512MB, DDR, 266MHz, PC2100, SO-DIMM 0.5ГБ DRAM 266МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR, 266MHz, PC2100, SO-DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 1GB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR2, PC2-5300, SODIMM, 667MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
UDM 512MB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC 0.5ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 512MB DDR 333 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти UDM 512MB DDR 333. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 256MB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 256MB, DDR2, PC2-4200, 533MHz, CL4. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 128MB for Brother HL2700/HL52xx/MFC9240 DRAM модуль памяти UDM 128MB for Brother HL2700/HL52xx/MFC9240. Тип внутренней памяти: DRA
UDM 512MB DDR 400 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти UDM 512MB DDR 400. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 1GB, DDR, 333MHz, PC2700, SO-DIMM 1ГБ DRAM 333МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR, 333MHz, PC2700, SO-DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 256MB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC 0.25ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 256MB, DDR, 400 MHz, PC3200, ECC. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 256MB DDR 333 0.25ГБ DDR 333МГц модуль памяти UDM 256MB DDR 333. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 1GB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 1GB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 512MB DDR 266 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти UDM 512MB DDR 266. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 512MB DDR SO 333 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти UDM 512MB DDR SO 333 . Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, SODIMM, 533MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
UDM 512MB PC133 PowerBook G4 Titanium 0.5ГБ DRAM модуль памяти UDM 512MB PC133 PowerBook G4 Titanium. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
UDM 1GB, DDR2-RAM, ECC, PC2-4200, 1.8V, SDRAM 1ГБ DDR2 Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 1GB, DDR2-RAM, ECC, PC2-4200, 1.8V, SDRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Напряжение памяти: 1.8
UDM 256MB DDR 400 0.25ГБ DDR 400МГц модуль памяти UDM 256MB DDR 400. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
UDM 512MB DDR2 Double Rank ECC 0.5ГБ DDR2 Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB DDR2 Double Rank ECC. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
UDM 512MB, ECC, DDR2 for Celsius M440 0.5ГБ DDR2 Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB, ECC, DDR2 for Celsius M440. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
UDM 512MB, DDR2-RAM, ECC, PC2-4200 0.5ГБ DDR2 Error-correcting code (ECC) модуль памяти UDM 512MB, DDR2-RAM, ECC, PC2-4200. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
UDM 256MB DDR 266 0.25ГБ DDR 266МГц модуль памяти UDM 256MB DDR 266. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
UDM 256MB DDR SO 333 0.25ГБ DDR 333МГц модуль памяти UDM 256MB DDR SO 333 . Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
UDM 256MB, PC333, SoDimm, DDR2700 0.25ГБ DDR2 модуль памяти UDM 256MB, PC333, SoDimm, DDR2700. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, Micro DIMM, CL4 0.5ГБ DDR2 модуль памяти UDM 512MB, DDR2, PC2-4200, Micro DIMM, CL4. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 214-pin MicroDIM
