HyperX 512MB, 1000MHz, DDR2, Non-ECC, CL5 (5-5-5-15), DIMM 240-pin 0.5ГБ DDR2 модуль памяти HyperX 512MB, 1000MHz, DDR2, Non-ECC, CL5 (5-5-5-15), DIMM 240-pin, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памя
Kingston Technology ValueRAM 1 GB, MicroDIMM 214-pin, DDR II, 667 MHz, CL5, 1.8 V 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 1 GB, MicroDIMM 214-pin, DDR II, 667 MHz, CL5, 1.8 V, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая ч
Kingston Technology ValueRAM 1 GB, MicroDIMM 214-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 1 GB, MicroDIMM 214-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая ч
Kingston Technology System Specific Memory 64MB for APPLE POWERMAC G4 DRAM модуль памяти Kingston Technology 64MB for APPLE POWERMAC G4, System Specific Memory. Тип внутренней памяти: DRA
HyperX 2 GB (2x1GB ) SDRAM-DDR2 2ГБ DDR2 модуль памяти HyperX 2 GB (2x1GB ) SDRAM-DDR2, HyperX. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 240-pin DIM
Acer Memory 512MB DDR400 long-DIMM 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти Acer Memory 512MB DDR400 long-DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 512MB 2x256 DDR400 rg ECC 0.5ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 512MB 2x256 DDR400 rg ECC. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology ValueRAM ValRam 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 240-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V 2ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology ValRam 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 240-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: D
HyperX 512MB, 1066MHz, DDR2, Non-ECC, CL5 (5-5-5-15), DIMM-240pin, 2.2V, CL5, Gold 0.5ГБ DDR2 1066МГц модуль памяти HyperX HyperX 512MB, 1066MHz, DDR2, Non-ECC, CL5 (5-5-5-15), DIMM-240pin, 2.2V, CL5, Gold, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology ValueRAM 4GB, 533MHz, DDR2, ECC, CL4, DIMM 240-pin, Dual Rank 4ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB, 533MHz, DDR2, ECC, CL4, DIMM 240-pin, Dual Rank, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая ч
Kingston Technology ValueRAM 2 GB, ( 2 x 1 GB ), DIMM 240-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V, ECC, 128M X 72 2ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2 GB, ( 2 x 1 GB ), DIMM 240-pin, DDR II, 533 MHz, CL4, 1.8 V, ECC, 128M X 72, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней
Kingston Technology ValueRAM 1GB 533MHz DDR2 ECC Registered CL4 DIMM Single Rank, x8 1ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB 533MHz DDR2 ECC Registered CL4 DIMM Single Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактова
Kingston Technology ValueRAM 512MB 667MHz DDR2 ECC CL5 DIMM Intel Validated 0.5ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512MB 667MHz DDR2 ECC CL5 DIMM Intel Validated, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая часто
V-TEC ME.E51SD.P33 Memory 0.5ГБ DDR 133МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти V-TEC ME.E51SD.P33 Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 133 МГ
V-TEC VT-ACE-10282 1GB Memory 1ГБ DRAM 400МГц модуль памяти V-TEC VT-ACE-10282 1GB Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
V-TEC VT-ACE-10281 Memory 0.5ГБ DRAM 400МГц модуль памяти V-TEC VT-ACE-10281 Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
V-TEC VT-ACE-10225 512MB 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти V-TEC VT-ACE-10225 512MB. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Acer Memory 256MB DDR DT DIMM PC2700 400MHz 0.25ГБ DDR 400МГц модуль памяти Acer Memory 256MB DDR DT DIMM PC2700 400MHz. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Xerox 256MB Memory Upgrade kit for 232/238/245/255/265/275 series 0.25ГБ DRAM модуль памяти Xerox 256MB Memory Upgrade kit for 232/238/245/255/265/275 series. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
PQI DDR2 - 800 2GB CL5 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти PQI DDR2 - 800 2GB CL5. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Ширина: 133,3 мм, Глубина: 30 мм, Вы
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR2-533 2ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR2-533, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Фо
PQI DDR2 - 800 1GB CL5 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти PQI DDR2 - 800 1GB CL5. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Ширина: 133,3 мм, Глубина: 30 мм, Вы
Kingston Technology System Specific Memory 1GB (2x512), for Fire T1000 T2000 1ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 1GB (2x512), for Fire T1000 T2000, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR2-533 2ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR2-533, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Фо
Kingston Technology System Specific Memory 2GB (2x1GB) Kit, for SUN Fire T1000 T2000 2ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 2GB (2x1GB) Kit, for SUN Fire T1000 T2000, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology ValueRAM 256 MB, DIMM 168-pin, SDRAM, 133 MHz, 3.3 V, 32M X 64, Non-ECC 0.25ГБ 133МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, DIMM 168-pin, SDRAM, 133 MHz, 3.3 V, 32M X 64, Non-ECC, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 1
Kingston Technology System Specific Memory 4GB Kit 4ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 4GB Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
OKI 128MB Memory Module DRAM модуль памяти OKI 128MB Memory Module. Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DDR2 модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 172-pin MicroDIM
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR2-667 Non-ECC 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR2-667 Non-ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти:
Toshiba 512 MB Memory PC2700 DDR SODIMM (333MHz) 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти Toshiba 512 MB Memory PC2700 DDR SODIMM (333MHz). Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR2-533 SODIMM 2ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR2-533 SODIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533
HyperX 1 GB ( 2 x 512 MB ), , DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2, 2.6 V 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти HyperX 1 GB ( 2 x 512 MB ), HyperX, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2, 2.6 V, HyperX. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Та
OKI 256MB Memory Module 0.25ГБ DRAM модуль памяти OKI 256MB Memory Module. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
HyperX 512MB , DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2, 2.6 V 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти HyperX 512MB HyperX, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2, 2.6 V, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частот
OKI 64MB Memory Module DRAM модуль памяти OKI 64MB Memory Module. Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology 1 GB, DIMM 240-pin, DDR II, 400 MHz, CL3, 1.8 V 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1 GB, DIMM 240-pin, DDR II, 400 MHz, CL3, 1.8 V. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти:
Toshiba 1024MB (1GB) Memory PC2-4300 DDR2 (533MHz) 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Toshiba 1024MB (1GB) Memory PC2-4300 DDR2 (533MHz). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Toshiba 1024MB (1GB) Memory PC2100 / PC2700 DDR SODIMM (333MHz) 1ГБ DDR 333МГц модуль памяти Toshiba 1024MB (1GB) Memory PC2100 / PC2700 DDR SODIMM (333MHz). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 М
Toshiba 256MB Memory PC2-4300 DDR2 (533MHz) 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Toshiba 256MB Memory PC2-4300 DDR2 (533MHz). Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Kingston Technology ValueRAM 256 MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200,CL2.5 0.25ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200,CL2.5, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая ча
Kingston Technology System Specific Memory 2GB 2ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Формат: 200
Corsair 2 GB XMS XPERT Series Modules 2ГБ DDR 400МГц модуль памяти Corsair 2 GB XMS XPERT Series Modules. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Corsair 2GB TWINX Matched Memory Pairs 2ГБ DDR модуль памяти Corsair 2GB TWINX Matched Memory Pairs. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Kingston Technology ValueRAM 128MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2.5, NON-ECC DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 128MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz / PC3200, CL2.5, NON-ECC, ValueRAM. Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 М
Kingston Technology ValueRAM 4GB, 333MHZ, DDRRAM, DIMM, ECC 4ГБ DRAM 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB, 333MHZ, DDRRAM, DIMM, ECC, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB, DIMM 168-pin SDRAM, 120 MHz, 3.3 V, ECC for VISUALISE UNIX 0.5ГБ Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512MB, DIMM 168-pin SDRAM, 120 MHz, 3.3 V, ECC for VISUALISE UNIX, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Форм-факто
Kingston Technology ValueRAM 256MB, SODIMM-200pin, DDR RAM, NON ECC, CL2.5 0.25ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 256MB, SODIMM-200pin, DDR RAM, NON ECC, CL2.5, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор па
Kingston Technology ValueRAM 16MB, EDO SIMM-72pin, 4MX32-60NS NON PARITY 16ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 16MB, EDO SIMM-72pin, 4MX32-60NS NON PARITY, ValueRAM. Оперативная память: 16 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор памяти
Kingston Technology ValueRAM 1GB(2 x 512MB), 400MHZ, DDR RAM,DIMM, ECC-REG, CL3 (3-3-3) 1ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB(2 x 512MB), 400MHZ, DDR RAM,DIMM, ECC-REG, CL3 (3-3-3), ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Такт