Kingston Technology System Specific Memory 1 GB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz for NEC Versa 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 1 GB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz for NEC Versa, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DD
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR2-667 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR2-667, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 128 MB, DIMM 100-pin, SDRAM, 133 MHz for Dell 133МГц модуль памяти Kingston Technology 128 MB, DIMM 100-pin, SDRAM, 133 MHz for Dell, System Specific Memory. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 100-
Acer Memory 128MB DDR SODIMM PC 2700/333 MHz DDR 333МГц модуль памяти Acer Memory 128MB DDR SODIMM PC 2700/333 MHz. Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB 667MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB 667MHz, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 256 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 667 MHz for Toshiba 0.25ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 667 MHz for Toshiba, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz for NEC Versa 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 512 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz for NEC Versa, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти
Kingston Technology System Specific Memory Memory 256MB module for selected NEC Versa's 0.25ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB module for selected NEC Versa's, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Hewlett Packard Enterprise 256GB DDR2-533 256ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP Superdome 64GB DDR II Memory Pack
Hewlett Packard Enterprise Superdome 8GB DDR II Memory модуль памяти HP Superdome 8GB DDR II Memory
HP PC2-5300 512MB 0.5ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти С целью расширения гарантийной базы, являющейся залогом бесперебойного функционирования бизнеса, в пакете услуг HP Care Pack предусмотрены расширенны
HP 256MB DDR2-667 0.25ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HP 256MB DDR2-667. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
HP 512MB DDR2-553 0.5ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HP 512MB DDR2-553. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Hewlett Packard Enterprise 16GB DDR2-533 16ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP Superdome sx2000 iCAP 16GB Memory
Hewlett Packard Enterprise 512GB DDR2-533 512ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP Superdome 128GB DDR II Memory Pack
Hewlett Packard Enterprise 16GB DDR2-533 16ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP Superdome 16GB DDR II Memory
HP 1GB DDR2-533 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти С целью расширения гарантийной базы, являющейся залогом бесперебойного функционирования бизнеса, в пакете услуг HP Care Pack предусмотрены расширенны
Transcend 1GB for Dell Poweredge 6400 6450 Series 1ГБ DDR2 модуль памяти Transcend 1GB for Dell Poweredge 6400 6450 Series. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
Fujitsu 1GB DDR266 PC2100 rg ECC (1 module) 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu 1GB DDR266 PC2100 rg ECC (1 module). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
takeMS So dimm 1GB DDR2 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти takeMS So dimm 1GB DDR2. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
takeMS So dimm 512MB, DDR2-667 MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти takeMS So dimm 512MB, DDR2-667 MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
takeMS So dimm 512MB DDR2 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти takeMS So dimm 512MB DDR2. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
takeMS So dimm 1024MB, DDR2-667 MHz 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти takeMS So dimm 1024MB, DDR2-667 MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Cisco 1GB MCS-7825-H1 Memory 1ГБ модуль памяти Cisco 1GB MCS-7825-H1 Memory. Оперативная память: 1 Г
OCZ Technology DDR2 1Gb PC2-5400 Platinum Enhanced Latency XTC Dual Channel 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти OCZ Technology DDR2 1Gb PC2-5400 Platinum Enhanced Latency XTC Dual Channel. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота
IBM 1GB (2x512MB Kit) PC2-3200 Non Chipkill CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 1GB (2x512MB Kit) PC2-3200 Non Chipkill CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти:
PQI DDR 400 1GB, DIMM 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти PQI DDR 400 1GB, DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Ширина: 133,3 мм, Глубина: 30 мм, Высо
IBM Memory 4 GB (2x2GB kit) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM 4ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 4 GB (2x2GB kit) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM 4GB (2x2GB Kit) PC2-3200 Dual Rank CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM 4ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 4GB (2x2GB Kit) PC2-3200 Dual Rank CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400
IBM 512MB (1x512MB DIMM) PC2-3200 Non Chipkill CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM 0.5ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 512MB (1x512MB DIMM) PC2-3200 Non Chipkill CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота па
IBM Memory 4GB (2x2GB Kit) PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM VLP RDIMM 4ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 4GB (2x2GB Kit) PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM VLP RDIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM Memory 2GB (2x 1 GB kit) PC-3200 CL3 ECC DDR SDRAM RDIMM 2ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 2GB (2x 1 GB kit) PC-3200 CL3 ECC DDR SDRAM RDIMM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM 4GB (2x2 GB Kit) PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM RDIMM 4ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 4GB (2x2 GB Kit) PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM RDIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM Memory 1GB (2x512MB Kit) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 1GB (2x512MB Kit) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 М
Kingston Technology 512MB, DDR2 RAM, 533Mhz, MicroDIMM 214-pin 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB, DDR2 RAM, 533Mhz, MicroDIMM 214-pin. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533
Kingston Technology 256 MB, MicroDIMM 214-pin, DDR2 RAM, 533MHz 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, MicroDIMM 214-pin, DDR2 RAM, 533MHz. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 5
Samsung 128MB SDRAM Memory модуль памяти Samsung 128MB SDRAM Memor
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 667 MHz for LG M1+P1 Dual Notebooks & Samsung R65/X 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology 512 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 667 MHz for LG M1+P1 Dual Notebooks & Samsung R65/X, System Specific Memory. Оперативная память:
Kingston Technology ValueRAM Memory 256MB 266Mhz DDR CL2.5 DIMM Low Profile 1.2" 0.25ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB 266Mhz DDR CL2.5 DIMM Low Profile 1.2", ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая
Kingston Technology ValueRAM Memory 512MB 266Mhz ECC DDR DIMM 0.5ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 512MB 266Mhz ECC DDR DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266
Kingston Technology ValueRAM 64MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM DRAM 133МГц модуль памяти Kingston Technology 64MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM, ValueRAM. Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 144-
Kingston Technology System Specific Memory 4GB Kit (ChipKill) 4ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB Kit (ChipKill), System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 М
Kingston Technology System Specific Memory 256 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, SO DIMM 200-pin, DDR II, 533 MHz, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Такто
Kingston Technology System Specific Memory 128 MB, ECC, DIMM 168-pin, SDRAM for IBM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 128 MB, ECC, DIMM 168-pin, SDRAM for IBM, System Specific Memory. Форм-фактор памяти: 168-pin DIM
Kingston Technology System Specific Memory 512MB 0.5ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Организ
Kingston Technology System Specific Memory 4 GB ( 4 x 1 GB ), DIMM 278-pin, ECC for HP 4ГБ DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4 GB ( 4 x 1 GB ), DIMM 278-pin, ECC for HP, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ),DIMM 208-pin, for IBM eServer 4ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 2 GB ( 4 x 512 MB ),DIMM 208-pin, for IBM eServer, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Организация
Kingston Technology 512MB for GATEWAY 700XL 0.5ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 512MB for GATEWAY 700XL. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology 256MB, SDRAM, SO DIMM 100-pin, 100 MHz for ViewSonic 0.25ГБ 100МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB, SDRAM, SO DIMM 100-pin, 100 MHz for ViewSonic. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор