Sony Memory 512MB PC2-3200 DDR2-SDRAM 0.5ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Sony Memory 512MB PC2-3200 DDR2-SDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 256MB, DIMM 168-pin, SDRAM, 133 MHz, for Toshiba Equium 8000S Equium 3300M/3300D/V3300 SER 0.25ГБ 133МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB, DIMM 168-pin, SDRAM, 133 MHz, for Toshiba Equium 8000S Equium 3300M/3300D/V3300 SER, System Specific Memory. Оперативная п
Kingston Technology System Specific Memory 64 MB, SO DIMM 144-PIN, SDRAM, 100MHz 100МГц модуль памяти Kingston Technology 64 MB, SO DIMM 144-PIN, SDRAM, 100MHz, System Specific Memory. Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-D
Kingston Technology System Specific Memory 256 MB, SO DIMM 144-pin, SDRAM, 3.3 V for Toshiba Portege 2000 0.25ГБ 100МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, SO DIMM 144-pin, SDRAM, 3.3 V for Toshiba Portege 2000, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая час
Fujitsu Memory 1GB DDR 400 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 1GB DDR 400. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 4GB Single Rank Kit 4ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB Single Rank Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400
Kingston Technology System Specific Memory 256MB 0.25ГБ 133МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 256MB, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIM
HP 256MB DDR2-533 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти С целью расширения гарантийной базы, являющейся залогом бесперебойного функционирования бизнеса, в пакете услуг HP Care Pack предусмотрены расширенны
Hewlett Packard Enterprise 4GB DDR-400 4ГБ DDR 400МГц модуль памяти Hewlett Packard Enterprise 4GB DDR-400. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
HP 2GB REG PC3200 2x1GB Memory модуль памяти HP Care Pack-Services bieten aktualisierte Serviceebenen, um die Abdeckung durch Ihre Gewährleistung zu erweitern, damit Sie sorgenfrei arbeiten und
HP 1GB REG PC3200 1ГБ DDR модуль памяти 1GB, REG, PC3200, 2x512
Memory is one of the most critical components in your server, and one of the easiest to upgrade to quickly enhance and improv
IBM TS Memory 2x1GB PC3200 ECC DDR SDRAM 2ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM TS Memory 2x1GB PC3200 ECC DDR SDRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГц.
IBM 2GB (2x1GB) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM Kit 2ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 2GB (2x1GB) PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAM RDIMM Kit. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS 1ГБ 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM MEMORY 512MB PC3200 CL3 ECC DDR SDRAM DIMM (06P4050) TS. Оперативная память: 1 ГБ, Тактовая частота памяти: 400 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin
IBM 1GB 2*512MB PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAMNon Chipkill RDIMM KIT 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 1GB 2*512MB PC2-3200 CL3 ECC DDR2 SDRAMNon Chipkill RDIMM KIT. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 40
IBM MEMORY 512MB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM UDIMM (06P4054) TS 0.5ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM MEMORY 512MB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM UDIMM (06P4054) TS. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333
IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS 0.5ГБ 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM MEMORY 512MB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 2X 256MB 33L5038 TS. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тактовая частота памяти: 266 МГц, Форм-фактор памя
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-533 SODIMM 1ГБ DRAM 533МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-533 SODIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 533
Lenovo MEMORY 256MB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD) 0.25ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Lenovo MEMORY 256MB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD). Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памя
Lenovo MEMORY 512MB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD) 0.5ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Lenovo MEMORY 512MB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD). Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памят
IBM MEMORY 1GB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD) 1ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM MEMORY 1GB PC2-4200 CL4 DDR2 SDRAM SODIMM MEMORY (THINKPAD). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-400 1ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-400, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Фо
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-533 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-533, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Фо
Kingston Technology ValueRAM 1GB 333MHz DDR ECC Registered CL2.5 DIMM BGA Dual Rank, x4 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB 333MHz DDR ECC Registered CL2.5 DIMM BGA Dual Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Такто
Kingston Technology ValueRAM 512MB 333MHz DDR ECC Registered CL2.5 DIMM BGA Single Rank, x4 0.5ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512MB 333MHz DDR ECC Registered CL2.5 DIMM BGA Single Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR,
MicroMemory 512MB PC100 ECC 32MX8 CL3 Error-correcting code (ECC) модуль памяти MicroMemory 512MB PC100 ECC 32MX8 CL3. Форм-фактор памяти: 168-pin DIM
MicroMemory 256MB SDRAM Module 0.25ГБ SDR SDRAM 133МГц модуль памяти MicroMemory 256MB SDRAM Module. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: SDR SDRAM, Тактовая частота памяти: 133 МГц. Цвет товара: Черный,
Fujitsu 128MB Memory module S26361-F2272-L2 133МГц модуль памяти Fujitsu 128MB Memory module S26361-F2272-L2. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Fujitsu 256MB Memory module S26361-F2272-L3 0.25ГБ 133МГц модуль памяти Fujitsu 256MB Memory module S26361-F2272-L3. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIM
Fujitsu Memory 1GB 2x512 DDR2-400 rg ECC 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 1GB 2x512 DDR2-400 rg ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR2-400 rg ECC 2ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR2-400 rg ECC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR2-400 rg ECC 4ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR2-400 rg ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 16 GB ( 4 x 4 GB ), DDR, DIMM, ECC 16ГБ DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 16 GB ( 4 x 4 GB ), DDR, DIMM, ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 16 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Acer Memory 1024MB 400MHz ECC DDR RAM 1ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Acer Memory 1024MB 400MHz ECC DDR RAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 1GB 2x512 DDR400 rg ECC 1ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 1GB 2x512 DDR400 rg ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR400 rg ECC 2ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR400 rg ECC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR333 rg ECC 4ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR333 rg ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Transcend DDR2 400Mhz PC3200 1024MB 1ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Transcend DDR2 400Mhz PC3200 1024MB. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Transcend 1024MB DDR2 PC2-3200 ECC REG 400MHz single rank 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend 1024MB DDR2 PC2-3200 ECC REG 400MHz single rank. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Transcend DDR2 512MB DDR2-533 ECC Registered Memory 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend DDR2 512MB DDR2-533 ECC Registered Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend DDR2 1GB DDR2-533 ECC Registered Memory 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend DDR2 1GB DDR2-533 ECC Registered Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 1GB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend 1GB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 256MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend 256MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 256 MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend 256 MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 512 MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend 512 MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 512MB DDR2 PC2 3200 400MHz 240Pin 0.5ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend 512MB DDR2 PC2 3200 400MHz 240Pin. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Transcend DDR2 512 MB DDR2-533 0.5ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend DDR2 512 MB DDR2-533. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend DDR2 256 MB DDR2-533 0.25ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend DDR2 256 MB DDR2-533. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Transcend 512MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Transcend 512MB DDR2 DDR2-533 Unbuffer Non-ECC Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ