HyperX Memory 512MB 675Mhz DDR2 0.5ГБ DDR2 модуль памяти HyperX Memory HyperX 512MB 675Mhz DDR2, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 240-pin DIM
HyperX Memory 512GB 533Mhz DDR2 2pk 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HyperX Memory HyperX 512GB 533Mhz DDR2 2pk, HyperX. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
HyperX 256MB DDR2 675MHz 0.25ГБ DDR2 модуль памяти HyperX HyperX 256MB DDR2 675MHz, HyperX. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 240-pin DIMM. Ширина: 133 мм,
Samsung 16MB SDRAM Memory 16ГБ модуль памяти Samsung 16MB SDRAM Memory. Оперативная память: 16 Г
Samsung 32MB SDRAM Memory модуль памяти Samsung 32MB SDRAM Memor
IBM 128MB NP DDR SDRAM UDIMM Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 128MB NP DDR SDRAM UDIMM. Форм-фактор памяти: 184-pin DIMM. Ширина: 134 мм, Глубина: 36 мм, Высота: 4 мм. Поддерживаемые скорости передачи данных
Kingston Technology ValueRAM Memory 512MB 184PIN DIMM DDR 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 512MB 184PIN DIMM DDR, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology ValueRAM 512MB, DDR RAM, DIMM 184-pin, PC2100, NON ECC, CL2.5 0.5ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 512MB, DDR RAM, DIMM 184-pin, PC2100, NON ECC, CL2.5, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фак
HyperX 256MB DDR2 533MHz 0.25ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HyperX HyperX 256MB DDR2 533MHz, HyperX. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Ширина: 133 мм,
HyperX Memory 1GB 533Mhz DDR2 2pk 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HyperX Memory HyperX 1GB 533Mhz DDR2 2pk, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Kingston Technology ValueRAM 512MB, PC2700, DDR RAM, SO DIMM, 0.5ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 512MB, PC2700, DDR RAM, SO DIMM, VALUERAM, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology ValueRAM 2x 512MB 400MHz DDR kit 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology ValueRAM 2x 512MB 400MHz DDR kit, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400
HyperX Memory 512MB 533Mhz DDR2 0.5ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HyperX Memory HyperX 512MB 533Mhz DDR2, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Kingston Technology ValueRAM 512MB, SODIMM 144-pin, SDRAM, PC133, NON ECC, CL3 0.5ГБ модуль памяти Kingston Technology 512MB, SODIMM 144-pin, SDRAM, PC133, NON ECC, CL3, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIM
Fujitsu Memory 512MB DDR2 400 DIMM 0.5ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 512MB DDR2 400 DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
HyperX Memory 1GB 400Mhz DDR 2pk 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти HyperX Memory HyperX 1GB 400Mhz DDR 2pk, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
HyperX Memory 512MB 400Mhz DDR CL2 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти HyperX Memory HyperX 512MB 400Mhz DDR CL2, HyperX. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Acer 512MB MEMORY RAM DDR333 0.5ГБ 333МГц модуль памяти Acer 512MB MEMORY RAM DDR333. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Acer 256MB DDR 333 ECC Registered 0.25ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Acer 256MB DDR 333 ECC Registered. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Acer Memory 512MB PC2700 ECC DDR RAM 0.5ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Acer Memory 512MB PC2700 ECC DDR RAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Fujitsu Memory 512MB PC400 DIMM 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 512MB PC400 DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 2GB 2ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB ECC 1ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
IBM 2x 512MB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM memory (06P4054) 1ГБ DDR Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 2x 512MB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM memory (06P4054). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Fujitsu Memory 1024MB PC3200 DDR RAM 1ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 1024MB PC3200 DDR RAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 512MB PC3200 DDR RAM 0.5ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 512MB PC3200 DDR RAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
IBM Memory 256MB PC2-3200 CL3 NP DDR2 SDRAM 0.25ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 256MB PC2-3200 CL3 NP DDR2 SDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Ширина: 134
Kingston Technology System Specific Memory 256 MB, DDR, 400 MHz, for APPLE IMAC G5 1.6GHZ / 1.8GHZ. 0.25ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 256 MB, DDR, 400 MHz, for APPLE IMAC G5 1.6GHZ / 1.8GHZ., System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней пам
Kingston Technology System Specific Memory 512MB PC3200 0.5ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB PC3200, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR PC-3200 SC Kit 1ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR PC-3200 SC Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 4
HP 8GB DDR-266 8ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Экстремальные требования диктуют экстремальные решения. С таким объёмом доступной памяти для Вашей рабочей станции нет ничего невозможного.
Fujitsu Mem 256MB DDR-RAM PC3200 unbuf ECC TX150 S2/Eco40 0.25ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Mem 256MB DDR-RAM PC3200 unbuf ECC TX150 S2/Eco40. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 1GB DDR PC3200 ECC 1ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 1GB DDR PC3200 ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 256MB 400MHz DDR SDRAM DIMM 0.25ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 256MB 400MHz DDR SDRAM DIMM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR2-400 0.5ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR2-400, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 184-pin, for SUN X7604A 2ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 184-pin, for SUN X7604A, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Ф
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-533 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-533, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГц. Фо
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR Kit 2ГБ DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Kingston Technology System Specific Memory 1GB Single Rank Kit 1ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB Single Rank Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400
Kingston Technology System Specific Memory 4GB DDR Kit 4ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 4GB DDR Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR2-533 ECC 0.5ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR2-533 ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB, DIMM 240-pin, DDR II, 400 MHz / PC2-3200 2ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2 GB, DIMM 240-pin, DDR II, 400 MHz / PC2-3200, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Та
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-533 ECC 1ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-533 ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR2-400 1ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR2-400, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГц. Фо
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR Kit 1ГБ DRAM 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB Single Rank 1ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB Single Rank, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГц.
Kingston Technology System Specific Memory 512MB Single Rank 0.5ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB Single Rank, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400
Kingston Technology System Specific Memory 1GB Single Rank Kit 8ГБ DDR2 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB Single Rank Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400