Transcend 128MB Memory for IBM Desktop 133МГц модуль памяти Transcend 128MB Memory for IBM Desktop. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Transcend 128MB SDRAM 144Pin SO-DIMM PC133 Unbuffer Non-ECC Memory 133МГц модуль памяти Transcend 128MB SDRAM 144Pin SO-DIMM PC133 Unbuffer Non-ECC Memory. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIMM, Напряжение
D-Link DFE-534R3 Boot ROM ROM модуль памяти D-Link DFE-534R3 Boot ROM. Тип внутренней памяти: ROM. Скорость передачи данных: 100 Мбит/
Transcend 128MB PC100 Memory module for HP NOTEBOOK. (F1622B) 133МГц модуль памяти Transcend 128MB PC100 Memory module for HP NOTEBOOK. (F1622B). Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIMM, Напряжение памя
Transcend 128MB Dell Dimension XPS R350/ R400 модуль памяти Transcend 128MB Dell Dimension XPS R350/ R400. Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Transcend 64MB IBM Infoprint 21 модуль памяти Transcend 64MB IBM Infoprint 21. Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Transcend JetRam 256MB DDR 0.25ГБ DDR модуль памяти Transcend JetRam 256MB DDR. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Transcend 2GB Dell PowerEdge 2650 Series 2ГБ DDR Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend 2GB Dell PowerEdge 2650 Series. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Transcend 1GB Proprietary Memory for HP-COMPAQ 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend 1GB Proprietary Memory for HP-COMPAQ. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Transcend 2048AMKit 4x512MB PC100 189082-B21 2ГБ Error-correcting code (ECC) модуль памяти Transcend 2048AMKit 4x512MB PC100 189082-B21. Оперативная память: 2 ГБ, Напряжение памяти: 3.3
Transcend 64MB Proprietary Memory/IBM Thinkpad 560 Series EDO DRAM модуль памяти Transcend 64MB Proprietary Memory/IBM Thinkpad 560 Series. Тип внутренней памяти: EDO DRAM, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIMM, Напряжение памяти: 3
Transcend 512MB Memory for APPLE Laptop 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти Transcend 512MB Memory for APPLE Laptop. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
IBM Memory 128MB SDRAM DIMM модуль памяти IBM Memory 128MB SDRAM DIM
IBM Memory 32MB SDRAM DIMM модуль памяти IBM Memory 32MB SDRAM DIM
IBM Memory 16MB SDRAM DIMM 16ГБ модуль памяти IBM Memory 16MB SDRAM DIMM. Оперативная память: 16 Г
Acer Memory 512MB 400MHz ECC DDR RAM 0.5ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Acer Memory 512MB 400MHz ECC DDR RAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Acer Memory 256MB 400MHz ECC DDR RAM 0.25ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Acer Memory 256MB 400MHz ECC DDR RAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 4GB, kit for E SERVER P SERIES 630 4ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 4GB, kit for E SERVER P SERIES 630, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology ValueRAM Memory 256MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM 0.25ГБ DRAM 133МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памя
Kingston Technology ValueRAM 64MB, DIMM 168-pin, SDRAM, PC133, NON ECC, CL3 DRAM модуль памяти Kingston Technology 64MB, DIMM 168-pin, SDRAM, PC133, NON ECC, CL3, ValueRAM. Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор памяти: 168-pin DIM
Fujitsu Memory 256MB 133MHz ECC SDRAM DIMM 0.25ГБ Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 256MB 133MHz ECC SDRAM DIMM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Kingston Technology ValueRAM 256MB, EDO RAM for GENERIC 0.25ГБ EDO DRAM модуль памяти Kingston Technology 256MB, EDO RAM for GENERIC, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: EDO DRA
Kingston Technology ValueRAM Memory 512MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM 0.5ГБ DRAM 133МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 512MB 133MHz Non-ECC CL3 SODIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памят
Kingston Technology System Specific Memory 16MB, kit, for IBM RS 6000 16ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 16MB, kit, for IBM RS 6000, System Specific Memory. Оперативная память: 16 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology ValueRAM 1GB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти:
HP 1GB PC2100 DDR SDRAM Memory Kit (2x512MB DIMMs) модуль памяти HP 1GB PC2100 DDR SDRAM Memory Kit (2x512MB DIMMs
HP 512-Mb PC133-MHz registered ECC SDRAM geheugenkit (2 x 256 Mb) модуль памяти HP 512-Mb PC133-MHz registered ECC SDRAM geheugenkit (2 x 256 Mb
Kingston Technology System Specific Memory 256MB, 700MHz,for DELL DIMENSION XPSB 0.25ГБ DRAM 700МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB, 700MHz,for DELL DIMENSION XPSB, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая
Kingston Technology ValueRAM Memory 128MB 100MHz ECC CL3 DIMM 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 128MB 100MHz ECC CL3 DIMM, ValueRAM. Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти
Kingston Technology ValueRAM 256MB, 100MHZ, DDR, DIMM, ECC, CL3 0.25ГБ DRAM 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 256MB, 100MHZ, DDR, DIMM, ECC, CL3, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти:
Kingston Technology ValueRAM 1GB 133MHz ECC Registered CL3 DIMM (Single Board) 1ГБ 133МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB 133MHz ECC Registered CL3 DIMM (Single Board), ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фак
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR400 ECC Dual Rank 1ГБ DDR 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR400 ECC Dual Rank, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти:
Kingston Technology 1 GB ( 2 x 512 MB ) DRAM for SGI Onyx Origin 1ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 1 GB ( 2 x 512 MB ) DRAM for SGI Onyx Origin. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology ValueRAM Memory 256MB 100MHz ECC Registered CL2 DIMM 0.25ГБ 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB 100MHz ECC Registered CL2 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор
Kingston Technology ValueRAM 256MB,DDR RAM, DIMM 184-pin, PC266, PC2100, ECC, CL2, for INTEL 0.25ГБ DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 256MB,DDR RAM, DIMM 184-pin, PC266, PC2100, ECC, CL2, for INTEL, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DR
IBM 512MB (2X256MB) DDR SDRAM 0.5ГБ 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 512MB (2X256MB) DDR SDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тактовая частота памяти: 266 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Kingston Technology System Specific Memory 1024MB kit, for HP COMPAQ 1ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 1024MB kit, for HP COMPAQ, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology ValueRAM Memory 128MB 100MHz Non-ECC CL2 Low Profile SODIMM 100МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 128MB 100MHz Non-ECC CL2 Low Profile SODIMM, ValueRAM. Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DI
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR400 ECC Kit 2ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR400 ECC Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology ValueRAM 256MB 100MHz ECC CL3 DIMM 0.25ГБ 100МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB 100MHz ECC CL3 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 100 МГц. Последовательный доступ к стр
Fujitsu Mem 8GB DDR-RAM PC2100 ECC 8ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Mem 8GB DDR-RAM PC2100 ECC. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Mem 4GB DDR-RAM PC2100 ECC 4ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Mem 4GB DDR-RAM PC2100 ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR266 PC2100 rg ECC 4ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 4GB 2x2GB DDR266 PC2100 rg ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
IBM Memory 64MB SDRAM DIMM модуль памяти IBM Memory 64MB SDRAM DIM
Kingston Technology 4GB kit, 8 modules, DDR SDRAM, for SGI Altix 3000, 3700 4ГБ DDR модуль памяти Kingston Technology 4GB kit, 8 modules, DDR SDRAM, for SGI Altix 3000, 3700. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DD
Kingston Technology ValueRAM 2GB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM (Kit of 2) 2ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM (Kit of 2), ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая част
Xerox 128MB Phaser Memory модуль памяти Xerox 128MB Phaser Memor
Xerox 64MB Phaser Memory модуль памяти Xerox 64MB Phaser Memor
Kingston Technology System Specific Memory 64MB MEMORY SO DIMM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 64MB MEMORY SO DIMM, System Specific Memory. Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Kingston Technology System Specific Memory 256MB DDR400 0.25ГБ DDR модуль памяти Kingston Technology 256MB DDR400, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM