Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR333 ECC 1ГБ DRAM 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR333 ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB PC2100 SODIMM 1ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB PC2100 SODIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 256MB DDR-400 0.25ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB DDR-400, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB PC2700 SODIMM 1ГБ DDR модуль памяти Kingston Technology 1GB PC2700 SODIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-D
Kingston Technology System Specific Memory 512MB 0.5ГБ SDR SDRAM 100МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: SDR SDRAM, Тактовая частота памяти: 100 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DRAM 333МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR333 0.5ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR333, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 2GB PC3200 Kit 2ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB PC3200 Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology 512MB 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR-400 0.5ГБ DRAM 200МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR-400, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 200 МГ
Cisco 512MB SDRAM f/ 7304 NSE-100, spare 0.5ГБ модуль памяти Cisco 512MB SDRAM f/ 7304 NSE-100, spare. Оперативная память: 0,5 Г
Kingston Technology ValueRAM 256MB 333MHz DDR Non-ECC CL2.5 SODIMM 0.25ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB 333MHz DDR Non-ECC CL2.5 SODIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти
Kingston Technology ValueRAM 128MB 133MHz Non-ECC CL3 Low Profile DIMM 133МГц модуль памяти Kingston Technology 128MB 133MHz Non-ECC CL3 Low Profile DIMM, ValueRAM. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжен
Lexmark 512MB SDRAM 0.5ГБ модуль памяти Lexmark 512MB SDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Конфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 0.5 Г
Fujitsu Memory 1GB DDR SDRAM 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 1GB DDR SDRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 2x256MB DDR SDRAM PC3200 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 2x256MB DDR SDRAM PC3200. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Kingston Technology System Specific Memory Memory 512MB for Fujitsu PRIMERGY 0.5ГБ DDR Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 512MB for Fujitsu PRIMERGY, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DD
Kingston Technology System Specific Memory Memory 1GB for Fujitsu PRIMERGY 1ГБ DDR Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 1GB for Fujitsu PRIMERGY, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DD
IBM 128MB PC2700 CL2.5 NP DDR SDRAM SODIMM Memory DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 128MB PC2700 CL2.5 NP DDR SDRAM SODIMM Memory. Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГц, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-DIMM.
HyperX 1GB Kit Reg ECC DDR 400MHz 3-3-3 400МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HyperX 1GB Kit HyperX Reg ECC DDR 400MHz 3-3-3. Тактовая частота памяти: 400 МГц, Напряжение памяти: 2.6
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz, CL2.5, Non-ECC 0.5ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512 MB, DIMM 184-pin, DDR, 400 MHz, CL2.5, Non-ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DR
IBM Memory 1GB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 1GB PC2700 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
IBM 512MB DDR SDRAM UDIMM 0.5ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 512MB DDR SDRAM UDIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
IBM 256MB PC2700 ECC DDR SDRAM UDIMM 0.25ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 256MB PC2700 ECC DDR SDRAM UDIMM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
IBM 1GB DDR SDRAM UDIMM 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 1GB DDR SDRAM UDIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 4GB Kit 4ГБ DDR2 200МГц модуль памяти Kingston Technology 4GB Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 200 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB ECC 1ГБ DRAM 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB ECC, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 2GB 266MHz ECC Kit 2ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 266MHz ECC Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 128MB for servers & workstations DRAM модуль памяти Kingston Technology 128MB for servers & workstations, System Specific Memory. Тип внутренней памяти: DRA
Toshiba 512MB SD memory 0.5ГБ модуль памяти Toshiba 512MB SD memory. Оперативная память: 0,5 Г
Kingston Technology System Specific Memory 2GB, 2x1024MB, DDR SDRAM, ECC for Fujitsu Siemens CELSIUS M410, R610 2ГБ DDR Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB, 2x1024MB, DDR SDRAM, ECC for Fujitsu Siemens CELSIUS M410, R610, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутр
Toshiba 256 MB Memory Expansion 0.25ГБ DDR модуль памяти Toshiba 256 MB Memory Expansion. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DD
Toshiba 512 MB Memory Expansion 0.5ГБ DRAM модуль памяти Toshiba 512 MB Memory Expansion. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM. Тактовая частота процессора: 333 МГ
Toshiba 1024MB (1GB) Memory Expansion 1ГБ DDR 333МГц модуль памяти Toshiba 1024MB (1GB) Memory Expansion. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory Memory 256MB DDR SODIMM f Toshiba 0.25ГБ 333МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB DDR SODIMM f Toshiba, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 333 МГц. Вес: 25
Kingston Technology System Specific Memory Memory 512MB DDR SODIMM f Toshiba 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology Memory 512MB DDR SODIMM f Toshiba, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая часто
Xerox 64MB RAM for Phaser™ 3450 модуль памяти Xerox 64MB RAM for Phaser™ 3450. Ширина: 203 мм, Глубина: 81 мм, Высота: 119 м
Xerox 32MB RAM for Phaser™ 3450 модуль памяти Xerox 32MB RAM for Phaser™ 3450. Ширина: 203 мм, Глубина: 81 мм, Высота: 119 м
Viking 32MB Memory Module Error-correcting code (ECC) модуль памяти Viking 32MB Memory Modul
Canon 64 MB Memory Module DRAM модуль памяти Canon 64 MB Memory Module. Тип внутренней памяти: DRA
Fujitsu Memory 2x512MB 400MHz DDR SDRAM DIMM 1ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 2x512MB 400MHz DDR SDRAM DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 2x256MB 400MHz DDR SDRAM DIMM 0.5ГБ DDR 400МГц модуль памяти Fujitsu Memory 2x256MB 400MHz DDR SDRAM DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR266 PC2100 rg ECC 2ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 2GB 2x1GB DDR266 PC2100 rg ECC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Memory 2GB 266MHz DDR pc2100 ECC 2ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 2GB 266MHz DDR pc2100 ECC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Memory 2x512MB 266MHz DDR pc2100 ECC 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 2x512MB 266MHz DDR pc2100 ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Memory 1GB 333MHz DDR pc2100 ECC 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 1GB 333MHz DDR pc2100 ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Fujitsu Memory 512MB DDR-RAM PC2100 unbuf ECC 0.5ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 512MB DDR-RAM PC2100 unbuf ECC. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu Memory 256MB DDR-RAM PC2100 unbuf ECC 0.25ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu Memory 256MB DDR-RAM PC2100 unbuf ECC. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Fujitsu 4GB PC1600 DDR-RAM ECC 4ГБ DDR 200МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Fujitsu 4GB PC1600 DDR-RAM ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 200 МГц. Ширина: 133 мм, Глубина: 43 м