Lenovo 73P3845 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти Lenovo 73P3845. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Corsair Server Memory 4ГБ 800МГц модуль памяти Corsair Server Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Конфигурация памяти (модули х емкость): 1 x 4 ГБ. Тип интерфейса:
Corsair PC2-6400 DDR2 800 MHZ 4GB SODIMM 4ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Corsair PC2-6400 DDR2 800 MHZ 4GB SODIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
Corsair PC2-6400x2 DDR2 8GB SODIMM 8ГБ DDR2 модуль памяти Corsair PC2-6400x2 DDR2 8GB SODIMM. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Конфигурация памяти (модули х емкость): 2 x 4 ГБ. Тактовая
Crucial 1GB, Ballistix Tracer 240-pin DIMM (w/ LED), DDR3 PC3-10600 2ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти Crucial 1GB, Ballistix Tracer 240-pin DIMM (w/ LED), DDR3 PC3-10600. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти:
Crucial 2GB, Ballistix Tracer 240-pin DIMM (w/ LEDs), DDR3 PC3-12800 2ГБ DDR3 1600МГц модуль памяти Crucial 2GB, Ballistix Tracer 240-pin DIMM (w/ LEDs), DDR3 PC3-12800. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти:
Kingston Technology System Specific Memory 6GB, 1066MHz, DDR3, ECC Kit w/ thermal sensor 6ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 6GB, 1066MHz, DDR3, ECC Kit w/ thermal sensor, System Specific Memory. Оперативная память: 6 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Так
Kingston Technology System Specific Memory 8GB(4 x 2GB), 1066MHz, DDR3, ECC Kit w/ thermal sensor 8ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 8GB(4 x 2GB), 1066MHz, DDR3, ECC Kit w/ thermal sensor, System Specific Memory. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology System Specific Memory 1GB, 1066MHz, DDR3, ECC w/ thermal sensor 1ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB, 1066MHz, DDR3, ECC w/ thermal sensor, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактова
Kingston Technology System Specific Memory 2GB, 1066MHz, DDR3, ECC w/ thermal sensor 2ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB, 1066MHz, DDR3, ECC w/ thermal sensor, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактова
Kingston Technology ValueRAM 2GB, 1333MHz, DDR3, ECC Reg w/Parity, CL9, DIMM, Single Rank, x4 w/Therm Sen 2ГБ DDR3 1333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB, 1333MHz, DDR3, ECC Reg w/Parity, CL9, DIMM, Single Rank, x4 w/Therm Sen, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней
Corsair 8GB DC DDR3 SO-DIMM 1066MHz CL7 8ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Corsair 8GB DC DDR3 SO-DIMM 1066MHz CL7. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Kingston Technology System Specific Memory Memory 512 MB DDR2 SDRAM Module 0.5ГБ DDR2 модуль памяти Kingston Technology Memory 512 MB DDR2 SDRAM Module, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор пам
Kingston Technology System Specific Memory 1GB, DDR2, 667MHz, CL5 1ГБ DDR2 модуль памяти Kingston Technology 1GB, DDR2, 667MHz, CL5, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR
Apple Mac Pro Memory Module 1GB 1ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory Module 1GB, Mac Pro. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Apple Mac Pro Memory Module 1GB 1ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory Module 1GB, Mac Pro. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГц. Совместимые операционные
Apple Memory 1GB 1066MHz DDR3 (PC3-8500) 1ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Apple Memory 1GB 1066MHz DDR3 (PC3-8500). Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Apple Mac Pro Memory Module 2GB 2ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory Module 2GB, Mac Pro. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Apple Mac Pro Memory Module 4GB 4ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory Module 4GB, Mac Pro. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Hewlett Packard Enterprise StorageWorks 160GB IO Accelerator for BladeSystem c-Class модуль памяти HP 160GB IO Accelerator for BladeSystem c-Class
Вы постоянно сталкиваетесь с "узкими местами" в плане производительности приложений? Вас не устраивае
Hewlett Packard Enterprise StorageWorks 80GB IO Accelerator for BladeSystem c-Class модуль памяти HP 80GB IO Accelerator for BladeSystem c-Class
Вы постоянно сталкиваетесь с проблемами в плане производительности приложений? Вас не устраивает досту
Acer DDR3 DIMM 2048MB 2ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Acer DDR3 DIMM 2048MB. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Acer ME.DT310.1GB 1ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Acer ME.DT310.1GB. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Apple Memory 4 GB DIMM 240-pin DDR3 1066 MHz ECC 4ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory 4 GB DIMM 240-pin DDR3 1066 MHz ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Apple Memory 2 GB DIMM 240-pin DDR3 1066 MHz ECC 2ГБ DDR3 1066МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Apple Memory 2 GB DIMM 240-pin DDR3 1066 MHz ECC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 4GB, DDR2, 800Mhz, Low Power Kit for IBM 4ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Kingston Technology 4GB, DDR2, 800Mhz, Low Power Kit for IBM, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая
Kingston Technology System Specific Memory 8GB, DDR2, 800MHz, Low Power Kit модуль памяти Kingston Technology 8GB, DDR2, 800MHz, Low Power Kit, System Specific Memor
Dane-Elec VD2D800-06428-B 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Dane-Elec VD2D800-06428-B. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Организация чипов: 128Mx8, Количе
Dane-Elec VS2D800-06456-B DDR2 800МГц модуль памяти Dane-Elec VS2D800-06456-B. Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Напряжение памяти: 1.8 В. Организация чипов: 128Mx8, Количе
Dane-Elec Value 2GB PC2-5300 DIMM CL5 - Single Pack 667МГц модуль памяти Dane-Elec Value 2GB PC2-5300 DIMM CL5 - Single Pack. Тактовая частота памяти: 667 МГц, Напряжение памяти: 1.8 В, Ширина полосы частот: 5300 ГГ
Dane-Elec Value 1GB PC2-6400 SODIMM CL5 - Single Pack 1ГБ DDR 800МГц модуль памяти Dane-Elec Value 1GB PC2-6400 SODIMM CL5 - Single Pack. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Органи
Dane-Elec Value 1GB DIMM PC2-5300 CL5 - Single Pack 667МГц модуль памяти Dane-Elec Value 1GB DIMM PC2-5300 CL5 - Single Pack. Тактовая частота памяти: 667 МГц, Напряжение памяти: 1.8 В, Ширина полосы частот: 5300 ГГ
Dane-Elec Value 2GB PC2-5300 SODIMM CL5 - Single Pack 667МГц модуль памяти Dane-Elec Value 2GB PC2-5300 SODIMM CL5 - Single Pack. Тактовая частота памяти: 667 МГц, Напряжение памяти: 1.8 В, Ширина полосы частот: 5300 ГГ
Dane-Elec Value 1GB DIMM PC3200 CL3 - Single Pack 400МГц модуль памяти Dane-Elec Value 1GB DIMM PC3200 CL3 - Single Pack. Тактовая частота памяти: 400 МГц, Напряжение памяти: 2.6 В, Ширина полосы частот: 3200 ГГ
Dane-Elec VS2D667-06428-B 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Dane-Elec VS2D667-06428-B. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГц. Организация чипов: 128Mx
Dane-Elec VD2D800-06456-B DDR2 800МГц модуль памяти Dane-Elec VD2D800-06456-B. Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Форм-фактор памяти: 240-pin DIMM. Организация чипов: 128Mx8
HP 2Gb DDR2 1x2GB 800MHz 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти HP 2Gb DDR2 1x2GB 800MHz. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
takeMS 1GB DDR2-667 CL5 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти takeMS 1GB DDR2-667 CL5. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Samsung 1GB DDR2-800 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Samsung 1GB DDR2-800. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
takeMS 1GB DDR2-800 CL4 Retail 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти takeMS 1GB DDR2-800 CL4 Retail. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
takeMS 1GB DDR2-800 CL5 Retail 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти takeMS 1GB DDR2-800 CL5 Retail. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
takeMS 2GB DDR2-800 CL5 Retail 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти takeMS 2GB DDR2-800 CL5 Retail. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
takeMS 2GB DDR2-667 CL5 Retail 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти takeMS 2GB DDR2-667 CL5 Retail. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Kingston Technology ValueRAM 2GB, 533MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL4 DIMM Single Rank, x4 2ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB, 533MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL4 DIMM Single Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2,
Kingston Technology ValueRAM 1GB, 533MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL4 DIMM Single Rank, x8 1ГБ DDR2 533МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB, 533MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL4 DIMM Single Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2,
Kingston Technology ValueRAM /2GB 533MHz DDR2 ECC DIMM Kitx2 2ГБ 533МГц модуль памяти Kingston Technology Valueram/2GB 533MHz DDR2 ECC DIMM Kitx2, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тактовая частота памяти: 533 МГц, Форм-фактор памяти
Kingston Technology ValueRAM 4GB, 667MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL5 DIMM (Kit of 4) Single Rank, x8 4ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB, 667MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL5 DIMM (Kit of 4) Single Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней па
Kingston Technology ValueRAM /2GB 667MHz DDR2 ECC DIMM Kitx2 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Kingston Technology Valueram/2GB 667MHz DDR2 ECC DIMM Kitx2, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти
Kingston Technology ValueRAM memory 1 GB FB-DIMM 240-pin DDR2 1ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology ValueRAM memory 1 GB FB-DIMM 240-pin DDR2, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памя
Kingston Technology ValueRAM 4GB, 800MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL5 DIMM, Quad Rank, x8 4ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB, 800MHz, DDR2, ECC Fully Buffered, CL5 DIMM, Quad Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2,