Kingston Technology System Specific Memory 128MB MEMORY MODULE 66МГц модуль памяти Kingston Technology 128MB MEMORY MODULE, System Specific Memory. Тактовая частота памяти: 66 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Напряжение памяти
Cisco 4 MB Blank Flash PCMCIA Card for the 3600 Series 4ГБ модуль памяти Cisco 4 MB Blank Flash PCMCIA Card for the Cisco 3600 Series. Оперативная память: 4 Г
Cisco 8 MB Flash Card for the 3600 Series 8ГБ модуль памяти Cisco 8 MB Flash Card for the Cisco 3600 Series. Оперативная память: 8 Г
Cisco 4 MB Flash for the 3600 Series 4ГБ модуль памяти Cisco 4 MB Flash for the Cisco 3600 Series. Оперативная память: 4 Г
Cisco 8 MB DRAM SIMM for the 3620 Series 8ГБ модуль памяти Cisco 8 MB DRAM SIMM for the Cisco 3620 Series. Оперативная память: 8 ГБ, Форм-фактор памяти: 72-pin SIM
Cisco 16 MB DRAM SIMM for the 3620 Series 16ГБ модуль памяти Cisco 16 MB DRAM SIMM for the Cisco 3620 Series. Оперативная память: 16 Г
Kingston Technology System Specific Memory 32MB, EDORAM, for COMPAQ EDO DRAM модуль памяти Kingston Technology 32MB, EDORAM, for COMPAQ, System Specific Memory. Тип внутренней памяти: EDO DRA
Kingston Technology System Specific Memory Memory 64MB (2x32MB EDO) kit id IBM 92G7324 модуль памяти Kingston Technology Memory 64MB (2x32MB EDO) kit id IBM 92G7324, System Specific Memory. Последовательный доступ к странице: 58 мс, Произвольный дост
Toshiba 64 MB Memory Expansion модуль памяти Toshiba 64 MB Memory Expansio
Fujitsu 256MB DDR memory Lifebook C1110 E4010S6120 T3010 0.25ГБ DDR 266МГц модуль памяти Fujitsu 256MB DDR memory Lifebook C1110 E4010S6120 T3010. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
IBM Memory 256MB 200MHz ECC SDRAM DIMM 0.25ГБ DDR 200МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 256MB 200MHz ECC SDRAM DIMM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 200 МГц. Ширина: 133,5 мм,
IBM Memory 512MB 200Mhz ECC DDR SDRAM DIMM 0.5ГБ DDR 200МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 512MB 200Mhz ECC DDR SDRAM DIMM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 200 МГц. Ширина: 133,5 м
IBM Memory 1GB 200MHz ECC SDRAM DIMM 1ГБ DDR 200МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM Memory 1GB 200MHz ECC SDRAM DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 200 МГц. Ширина: 133,5 мм, Глуби
IBM 64MB SDRAM DIMM f PC300 PL PII 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти IBM 64MB SDRAM DIMM f PC300 PL PII. Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM, Шина памяти: 64 бит. Ширина: 133,4 мм, Глубин
Acer 512MB DIMM PC-266 module 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти Acer 512MB DIMM PC-266 module. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Acer 256MB DIMM PC-266 DDR module 0.25ГБ DDR 266МГц модуль памяти Acer 256MB DIMM PC-266 DDR module. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Acer Memory 128MB PC-266 DDR SDRAM DDR 266МГц модуль памяти Acer Memory 128MB PC-266 DDR SDRAM. Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГц, Форм-фактор памяти: 200-pin SO-DIM
Acer 256MB SDRAM PC133 64BIT 0.25ГБ 133МГц модуль памяти Acer 256MB SDRAM PC133 64BIT. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГ
Acer MEM UPG 128MB PC133 SDRAM 133МГц модуль памяти Acer MEM UPG 128MB PC133 SDRAM. Тактовая частота памяти: 133 МГ
Acer GEHEUGEN 512MB TM-SERIES 0.5ГБ 133МГц модуль памяти Acer GEHEUGEN 512MB ACER TM-SERIES. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГ
Acer GEHEUGEN 64 MB TM 210 SERIES 100МГц модуль памяти Acer GEHEUGEN 64 MB TM 210 SERIES. Тактовая частота памяти: 100 МГ
Toshiba 32 MB Memory Expansion модуль памяти Toshiba 32 MB Memory Expansio
Toshiba 128 MB Memory Expansion 133МГц модуль памяти Toshiba 128 MB Memory Expansion. Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIMM, Напряжение памяти: 3.3
Toshiba Cradle модуль памяти Toshiba Cradle. Цвет товара: Черный. Размеры (ШхГхВ): 83 x 87,8 x 81,5 мм, Вес: 300
HP 512MB DDR-333 0.5ГБ DDR 333МГц модуль памяти HP 512MB DDR-333. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology ValueRAM 1GB 333MHz DDR ECC CL2.5 DIMM 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB 333MHz DDR ECC CL2.5 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology ValueRAM 1GB 266MHz DDR Non-ECC CL2 DIMM 1ГБ DDR 266МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB 266MHz DDR Non-ECC CL2 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГц
Kingston Technology ValueRAM Memory 1GB 266MHz DDR ECC REG CL2 DIMM 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory ValueRAM 1GB 266MHz DDR ECC REG CL2 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота
HP 128MB DDR-333 0.12ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HP 128MB DDR-333. Оперативная память: 0,12 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
HP 256MB DDR-333 0.25ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HP 256MB DDR-333. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology ValueRAM 512MB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM (Kit of 2) 0.25ГБ DDR 400МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB 400MHz DDR Non-ECC CL3 (3-3-3) DIMM (Kit of 2), ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая
Kingston Technology 128MB FOR SONY VAIO-PCG-GRxxxK модуль памяти Kingston Technology 128MB FOR SONY VAIO-PCG-GRxxxK. Форм-фактор памяти: 144-pin SO-DIM
Kingston Technology ValueRAM Memory 256MB 133MHz Reg PC133 SDRAM DIMM 0.25ГБ 133МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology Memory 256MB 133MHz Reg PC133 SDRAM DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГц, Форм-фактор па
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR266 ECC Kit 2ГБ DRAM 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR266 ECC Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 М
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB 1ГБ DDR 333МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 256 MB, DIMM 168-pin for Acer 0.25ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 256 MB, DIMM 168-pin for Acer, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-фактор памя
Kingston Technology 256MB PC2100 DDR266 0.25ГБ DDR 266МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB PC2100 DDR266. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 4GB Kit 4ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 4GB Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 8GB Kit 8ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 8GB Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 8GB (4x2GB) Module Kit, 1050MHz for Sun Fire V880 8ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 8GB (4x2GB) Module Kit, 1050MHz for Sun Fire V880, System Specific Memory. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DRA
Kingston Technology System Specific Memory 2048 MB ( 4 x 512 MB ), DIMM, 266 MHz 2ГБ DRAM 266МГц модуль памяти Kingston Technology 2048 MB ( 4 x 512 MB ), DIMM, 266 MHz, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая ча
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 184-pin, Kit for Sun Fire V240 2ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 2 GB ( 2 x 1 GB ), DIMM 184-pin, Kit for Sun Fire V240, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology System Specific Memory 1GB (4x256MB) DDR 200Mhz, DIMM 1ГБ DDR 200МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB (4x256MB) DDR 200Mhz, DIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота па
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR333 ECC Kit 1ГБ DRAM 333МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR333 ECC Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 М
Kingston Technology System Specific Memory 512 MB ( 2 x 256 MB ) for Dell WS 360, Dell poweredge 400SC Precision workstation 3 0.5ГБ DRAM 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 512 MB ( 2 x 256 MB ) for Dell WS 360, Dell poweredge 400SC Precision workstation 3, System Specific Memory. Оперативная память:
Kingston Technology System Specific Memory 1GB, PC133, CL3, UNB DIMM, 133 MHz 1ГБ DRAM 133МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB, PC133, CL3, UNB DIMM, 133 MHz, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая часто
Kingston Technology System Specific Memory 256MB MEMORY ECC 1 MODULE 0.25ГБ 266МГц модуль памяти Kingston Technology 256MB MEMORY ECC 1 MODULE, System Specific Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 266 МГц. Последовательны
Kingston Technology System Specific Memory 1 GB ( 2 x 512 MB ), DIMM 184-pin, for Sun 1ГБ DRAM модуль памяти Kingston Technology 1 GB ( 2 x 512 MB ), DIMM 184-pin, for Sun, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Форм-ф
HP 1GB DDR-333 1ГБ DDR 333МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти HP 1GB DDR-333. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 333 МГ