Apacer 4GB Memory Module 4ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Apacer 4GB Memory Module. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
Corsair 4GB DDR2-800 4ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Corsair 4GB DDR2-800. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
Tektronix Memory Module 128 MB; WorkCentre™ M118/M118i модуль памяти Tektronix Memory Module 128 MB; WorkCentre™ M118/M118i. Ширина: 124 мм, Глубина: 182 мм, Высота: 34 м
Tektronix 512MB Phaser Memory 0.5ГБ модуль памяти Tektronix 512MB Phaser Memory. Оперативная память: 0,5 Г
Tektronix 512 MB Memory Module 0.5ГБ модуль памяти Tektronix 512 MB Memory Module. Оперативная память: 0,5 ГБ. Ширина: 171 мм, Глубина: 76 мм, Высота: 158 м
Tektronix 256MB Additional Memory 0.25ГБ модуль памяти Tektronix 256MB Additional Memory. Оперативная память: 0,25 ГБ. Ширина: 83 мм, Глубина: 121 мм, Высота: 20 м
HyperX 3GB 1866MHz DDR3 Non-ECC CL9 (9-9-9-27) DIMM (Kit of 3) Intel XMP 3ГБ DDR3 1866МГц модуль памяти HyperX 3GB 1866MHz DDR3 Non-ECC CL9 (9-9-9-27) DIMM (Kit of 3) Intel XMP, HyperX. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая час
OCZ Technology DDR3 PC3-10666 Gold Low-Voltage Triple Channel 6ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти OCZ Technology DDR3 PC3-10666 Gold Low-Voltage Triple Channel. Оперативная память: 6 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1333 М
HyperX 3GB 1375MHz DDR3 Non-ECC Low-Lat CL7 (7-7-7-20) DIMM (Kit of 3) Intel 3ГБ DDR3 модуль памяти HyperX 3GB 1375MHz DDR3 Non-ECC Low-Lat CL7 (7-7-7-20) DIMM (Kit of 3) Intel, HyperX. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Форм-фак
HyperX 3GB 1600MHz DDR3 Non-ECC LowLat CL8 (8-8-8-24) DIMM (Kit of 3) 3ГБ DDR3 1600МГц модуль памяти HyperX 3GB 1600MHz DDR3 Non-ECC LowLat CL8 (8-8-8-24) DIMM (Kit of 3), HyperX. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частот
HyperX 3GB 2000MHz DDR3 Non-ECC CL9 (9-9-9) DIMM (Kit of 3) Intel XMP 3ГБ DDR3 2000МГц модуль памяти HyperX 3GB 2000MHz DDR3 Non-ECC CL9 (9-9-9) DIMM (Kit of 3) Intel XMP, HyperX. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частот
Samsung 256Mb PC800 Rambus RDRAM 0.25ГБ RDRAM 800МГц модуль памяти Samsung 256Mb PC800 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 800 МГ
HyperX 3GB 1600MHz DDR3 Non-ECC LowLat CL8 (8-8-8-24) DIMM (Kit of 3) Int XMP 3ГБ DDR3 1600МГц модуль памяти HyperX 3GB 1600MHz DDR3 Non-ECC LowLat CL8 (8-8-8-24) DIMM (Kit of 3) Int XMP , HyperX. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактов
Samsung 128Mb, ECC PC800 Rambus RDRAM RDRAM 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Samsung 128Mb, ECC PC800 Rambus RDRAM. Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Samsung 64Mb 72-pin EDO SIMM EDO DRAM модуль памяти Samsung 64Mb 72-pin EDO SIMM. Тип внутренней памяти: EDO DRAM, Форм-фактор памяти: 72-pin SIMM, Напряжение памяти: 5
Kingston Technology ValueRAM 3GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 DIMM (Kit of 3) 3ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти Kingston Technology 3GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 DIMM (Kit of 3), ValueRAM. Оперативная память: 3 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота п
Patriot Memory 2GB (2 X 1GB), DDR, PC-4000, EASED LATENCY KIT DIMM 2ГБ DRAM модуль памяти Patriot Memory 2GB (2 X 1GB), DDR, PC-4000, EASED LATENCY KIT DIMM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Конфигурация памяти (модул
CellShock 2GB, DDR3 PC3-15000 1866MHz (8-8-8-16) 2ГБ DDR3 1866МГц модуль памяти CellShock 2GB, DDR3 PC3-15000 1866MHz (8-8-8-16). Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1866 МГ
Samsung 32Mb, 72-pin EDO SIMM EDO DRAM модуль памяти Samsung 32Mb, 72-pin EDO SIMM. Тип внутренней памяти: EDO DRAM, Форм-фактор памяти: 72-pin SIMM, Напряжение памяти: 5
Kingston Technology ValueRAM 6GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 DIMM (Kit of 3) 6ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти Kingston Technology 6GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 DIMM (Kit of 3), ValueRAM. Оперативная память: 6 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота п
Samsung 512Mb ECC PC800 Rambus RDRAM 0.5ГБ RDRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Samsung 512Mb ECC PC800 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Samsung 128Mb, PC800 Rambus RDRAM RDRAM 800МГц модуль памяти Samsung 128Mb, PC800 Rambus RDRAM. Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Patriot Memory 1Gb PC2700 DDR333 SO-DIMM CL2.5 1ГБ DRAM 333МГц модуль памяти Patriot Memory 1Gb PC2700 DDR333 SO-DIMM CL2.5. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 333 МГ
Samsung 16Mb, 72-pin EDO SIMM module 16ГБ EDO DRAM модуль памяти Samsung 16Mb, 72-pin EDO SIMM module. Оперативная память: 16 ГБ, Тип внутренней памяти: EDO DRAM, Форм-фактор памяти: 72-pin SIM
Samsung 512Mb PC1066 Rambus RDRAM 0.5ГБ RDRAM модуль памяти Samsung 512Mb PC1066 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Samsung 512Mb PC800 Rambus RDRAM 0.5ГБ RDRAM модуль памяти Samsung 512Mb PC800 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Patriot Memory 1Gb DDR2 PC2-5300 667MHz LLK Dual Channel kit 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Patriot Memory 1Gb DDR2 PC2-5300 667MHz LLK Dual Channel kit. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Samsung 256Mb ECC PC800 Rambus RDRAM 0.25ГБ RDRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Samsung 256Mb ECC PC800 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Patriot Memory 2Gb PC3200 Low Latency Dual Channel kit 2ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Patriot Memory 2Gb PC3200 Low Latency Dual Channel kit. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Samsung 256Mb PC1066 Rambus RDRAM 0.25ГБ RDRAM модуль памяти Samsung 256Mb PC1066 Rambus RDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Patriot Memory 1Gb, PC3200 Low Latency Dual Channel kit 1ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Patriot Memory 1Gb, PC3200 Low Latency Dual Channel kit. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
CellShock 2GB DDR3 PC3-10666 (6-6-6) Dual Channel kit 2ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти CellShock 2GB DDR3 PC3-10666 (6-6-6) Dual Channel kit. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Samsung 128Mb, PC1066 Rambus RDRAM RDRAM 1066МГц модуль памяти Samsung 128Mb, PC1066 Rambus RDRAM. Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 1066 МГц, Форм-фактор памяти: 184-pin DIM
Mushkin XP-Series DDR2-1000 4GB DualKit CL5 4ГБ DDR2 модуль памяти Mushkin XP-Series DDR2-1000 4GB DualKit CL5. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 240-pin DIMM. Организация чип
Mushkin HP3-10666 4GB RAMKit DDR3 Dual Pack 4ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти Mushkin HP3-10666 4GB RAMKit DDR3 Dual Pack. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1333 МГц. Организация чи
Corsair 3072MB (3x1GB) DDR3 SDRAM 3ГБ 1333МГц модуль памяти Corsair 3072MB (3x1GB) DDR3 SDRAM. Оперативная память: 3 ГБ, Тактовая частота памяти: 1333 МГц, Комплектующие для: PC/serve
HyperX 1GB 1066MHz DDR2 Non-ECC CL7 (7-7-7-20) DIMM 1ГБ DDR2 модуль памяти HyperX 1GB 1066MHz DDR2 Non-ECC CL7 (7-7-7-20) DIMM, HyperX. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Форм-фактор памяти: 240-pin DIM
HyperX 2GB 1066MHz DDR2 Non-ECC CL7 (7-7-7-20) DIMM (Kit of 2) 2ГБ DDR2 1066МГц модуль памяти HyperX 2GB 1066MHz DDR2 Non-ECC CL7 (7-7-7-20) DIMM (Kit of 2), HyperX. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памят
Aeneon 4GB 667MHz DDR2 DIMM 4ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Aeneon 4GB 667MHz DDR2 DIMM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
CellShock CS2221550 - 2GB-Kit (2x1GB) dual 2ГБ DDR2 1066МГц модуль памяти CellShock CS2221550 - 2GB-Kit (2x1GB) dual. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 1066 МГц. Скорость переда
CellShock CS2221650 - 2GB-Kit (2x1GB) dual 2ГБ DDR2 модуль памяти CellShock CS2221650 - 2GB-Kit (2x1GB) dual. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2. Скорость передачи данных: 9200 Мбит/
CellShock CS2221042 - 2GB-Kit (2x1GB) dual 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти CellShock CS2221042 - 2GB-Kit (2x1GB) dual. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Скорость передач
CellShock CS3222580 - 2GB-Kit (2x 1GB) 2ГБ DDR3 1800МГц модуль памяти CellShock CS3222580 - 2GB-Kit (2x 1GB). Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1800 МГц. Скорость передачи д
CellShock CS3222270 - 2GB-Kit (2x 1GB) 2ГБ DDR3 1600МГц модуль памяти CellShock CS3222270 - 2GB-Kit (2x 1GB). Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1600 МГц. Скорость передачи д
CellShock CS2221041 - 2GB-Kit (2x1GB) dual 2ГБ DDR2 800МГц модуль памяти CellShock CS2221041 - 2GB-Kit (2x1GB) dual. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Скорость передач
CellShock CS2221440 - 2GB-Kit (2x1GB) dual 2ГБ DDR2 модуль памяти CellShock CS2221440 - 2GB-Kit (2x1GB) dual. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2. Скорость передачи данных: 8000 Мбит/
Kingston Technology System Specific Memory 2GB DDR3-1066 2ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Kingston Technology 2GB DDR3-1066, System Specific Memory. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 1GB DDR3-1066 1ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Kingston Technology 1GB DDR3-1066, System Specific Memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГ
Kingston Technology ValueRAM 6GB 1066MHz DDR3 Non-ECC CL7 DIMM (Kit of 3) 6ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти Kingston Technology 6GB 1066MHz DDR3 Non-ECC CL7 DIMM (Kit of 3), ValueRAM. Оперативная память: 6 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота п
OCZ Technology DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel 6ГБ DDR3 1333МГц модуль памяти OCZ Technology DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel. Оперативная память: 6 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 13