HP 1GB DDR2 1 x 1GB 800MHz 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти HP 1GB DDR2 1 x 1GB 800MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГ
HP 512Mb DDR2 667MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти HP 512Mb DDR2 667MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
HP 512Mb 667MHz DDR2 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти HP 512Mb 667MHz DDR2. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
HP 1GB PC2-4200 DDR2 533MHz 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP 1GB PC2-4200 DDR2 533MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
HP 1Gb PC2-4200 DDR2 533MHz 1ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP 1Gb PC2-4200 DDR2 533MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
HP 2Gb DDR2 533MHz 2x1Gb 2ГБ DDR2 533МГц модуль памяти HP 2Gb DDR2 533MHz 2x1Gb. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 533 МГ
Lenovo ThinkCentre USFF 1GB PC2-5300 667MHz SDRAM SODIMM memory 1ГБ 667МГц модуль памяти Lenovo ThinkCentre USFF 1GB PC2-5300 667MHz SDRAM SODIMM memory. Оперативная память: 1 ГБ, Тактовая частота памяти: 667 МГц, Форм-фактор памяти: 200-
Corsair 4GB DDR2 Memory Module 4ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Corsair 4GB DDR2 Memory Module. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Lenovo 2GB Memory Module 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Lenovo 2GB Memory Module. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Kingston Technology ValueRAM 2GB(2 x 1GB), 800MHz, DDR2, ECC, CL6, DIMM, Single Rank x4 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB(2 x 1GB), 800MHz, DDR2, ECC, CL6, DIMM, Single Rank x4, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Такт
Kingston Technology ValueRAM 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Dual Rank, x4 4ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Dual Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology ValueRAM 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Single Rank x4 4ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Kingston Technology 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Single Rank x4, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти
Kingston Technology ValueRAM 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Dual Rank, x8 4ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Dual Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти:
Kingston Technology ValueRAM 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Dual Rank, x8 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Dual Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Такт
Kingston Technology ValueRAM 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Single Rank, x4 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Single Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Та
Kingston Technology ValueRAM 1GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Single Rank, x8 1ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Single Rank, x8, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Та
Kingston Technology ValueRAM 1GB, 800MHz, DDR2, ECC, CL6, DIMM, Single Rank, x4 1ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 1GB, 800MHz, DDR2, ECC, CL6, DIMM, Single Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая час
Kingston Technology ValueRAM 4GB 800MHz DDR2 ECC CL6 DIMM (Kit of 2) 4ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 4GB 800MHz DDR2 ECC CL6 DIMM (Kit of 2), ValueRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти
Kingston Technology ValueRAM 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Single Rank x8 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM (Kit of 2) Single Rank x8, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти
Kingston Technology ValueRAM 2GB 800MHz DDR2 ECC CL6 DIMM 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 800MHz DDR2 ECC CL6 DIMM, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц.
Kingston Technology ValueRAM 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Dual Rank, x4 2ГБ DDR2 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 2GB 800MHz DDR2 ECC Reg with Parity CL6 DIMM Dual Rank, x4, ValueRAM. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Такт
Kingston Technology System Specific Memory 16GB 667MHz Kit 16ГБ DRAM 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Kingston Technology 16GB 667MHz Kit, System Specific Memory. Оперативная память: 16 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Kingston Technology System Specific Memory 512MB DDR2-800 CL6 DIMM 0.5ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Kingston Technology 512MB DDR2-800 CL6 DIMM, System Specific Memory. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти
Twinmos 1GB DDR2 667MHz 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Twinmos 1GB DDR2 667MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Twinmos 512MB DDR2 667MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Twinmos 512MB DDR2 667MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Twinmos 512MB DDR2 667MHz 0.5ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Twinmos 512MB DDR2 667MHz. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Twinmos 1GB DDR2 667MHz 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Twinmos 1GB DDR2 667MHz. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Twinmos 2GB DDR2 667MHz 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Twinmos 2GB DDR2 667MHz. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Team Group DDR2 667 2*512MB (Dual) TEDD1024M667HC4DC 1ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Team Group DDR2 667 2*512MB (Dual) TEDD1024M667HC4DC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГц. Скорос
Team Group PC2 6400 DDR2 800MHz CL4 (2*1GB) DDR2 800МГц модуль памяти Team Group PC2 6400 DDR2 800MHz CL4 (2*1GB). Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц, Форм-фактор памяти: 240-pin DIM
Team Group DDR2 800 2*512MB (Dual) TEDD1024M800HC5DC 1ГБ DDR2 800МГц модуль памяти Team Group DDR2 800 2*512MB (Dual) TEDD1024M800HC5DC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 800 МГц. Скорос
Team Group DDR2 667 2*1GB (Dual) TEDD2048M667HC4DC 2ГБ DDR2 667МГц модуль памяти Team Group DDR2 667 2*1GB (Dual) TEDD2048M667HC4DC. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГц. Скорость
Edge 512MB, 266MHz, DDR SDRAM , PC2100 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти Edge 512MB, 266MHz, DDR SDRAM , PC2100. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Edge 256MB, SDRAM, 100MHz, PC100, DIMM 0.25ГБ 100МГц модуль памяти Edge 256MB, SDRAM, 100MHz, PC100, DIMM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 100 МГ
Edge 1GB, PC3200, DDR, 400MHz, 184PIN, NON-ECC, DIMM 1ГБ DRAM 400МГц модуль памяти Edge 1GB, PC3200, DDR, 400MHz, 184PIN, NON-ECC, DIMM. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DRAM, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Edge 1GB, DDR SDRAM, 266MHz, PC2100, ECC 1ГБ DDR 266МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 1GB, DDR SDRAM, 266MHz, PC2100, ECC. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Edge 512MB, 800MHz, PC800, ECC, RDRAM 0.5ГБ RDRAM 800МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 512MB, 800MHz, PC800, ECC, RDRAM. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 800 МГ
Edge 128MB, 800MHz, PC800, RDRAM RDRAM 800МГц модуль памяти Edge 128MB, 800MHz, PC800, RDRAM. Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 800 МГ
Edge 8GB, 400MHz, DDR2, PC2-320 8ГБ DDR2 400МГц модуль памяти Edge 8GB, 400MHz, DDR2, PC2-320. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 400 МГ
Edge 512MB, 266MHz, DDR SDRAM, PC2100 0.5ГБ DDR 266МГц модуль памяти Edge 512MB, 266MHz, DDR SDRAM, PC2100. Оперативная память: 0,5 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR, Тактовая частота памяти: 266 МГ
Edge 256MB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM 0.25ГБ 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 256MB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тактовая частота памяти: 100 МГ
Edge 4GB, DDR2 SDRAM, 667MHz, PC2-530, ECC 4ГБ DDR2 667МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 4GB, DDR2 SDRAM, 667MHz, PC2-530, ECC. Оперативная память: 4 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR2, Тактовая частота памяти: 667 МГ
Edge 128MB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM 100МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 128MB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM. Тактовая частота памяти: 100 МГц, Форм-фактор памяти: 168-pin DIMM. Вес: 40
Edge 4GB, 133MHz, PC133, ECC, SDRAM 4ГБ 133МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 4GB, 133MHz, PC133, ECC, SDRAM. Оперативная память: 4 ГБ, Тактовая частота памяти: 133 МГ
Edge 1GB, ECC, EDO DRAM, 168-pin 1ГБ EDO DRAM Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 1GB, ECC, EDO DRAM, 168-pin. Оперативная память: 1 ГБ, Тип внутренней памяти: EDO DRAM, Форм-фактор памяти: 168-pin DIM
Edge 64MB, Non-ECC, EDO DRAM EDO DRAM модуль памяти Edge 64MB, Non-ECC, EDO DRAM. Тип внутренней памяти: EDO DRA
Edge 256MB, 600MHz, PC600, ECC, RDRAM 0.25ГБ RDRAM 600МГц Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 256MB, 600MHz, PC600, ECC, RDRAM. Оперативная память: 0,25 ГБ, Тип внутренней памяти: RDRAM, Тактовая частота памяти: 600 МГц. Вес: 40
Edge 8MB, FPM DRAM, Non-parity 8ГБ FPM RAM модуль памяти Edge 8MB, FPM DRAM, Non-parity. Оперативная память: 8 ГБ, Тип внутренней памяти: FPM RA
Edge 512MB, 133MHz, PC133, ECC, SDRAM модуль памяти Edge 512MB, 133MHz, PC133, ECC, SDRA
Edge 2GB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM 2ГБ Error-correcting code (ECC) модуль памяти Edge 2GB, 100MHz, PC100, ECC, SDRAM. Оперативная память: 2 Г